जब वियतनामी लोग अंग्रेजी बोलते हैं तो विदेशी क्या सोचते हैं?
शब्दावली का उदाहरण melting pointnamespace
- The melting point of copper is around 85°C, making it a solid metal at normal ambient temperatures.
तांबे का गलनांक लगभग 85°C होता है, जो इसे सामान्य परिवेशी तापमान पर एक ठोस धातु बनाता है।
- In order to determine the purity of a sample, its melting point is measured and compared to the standard melting point for that compound.
किसी नमूने की शुद्धता निर्धारित करने के लिए, उसके गलनांक को मापा जाता है तथा उस यौगिक के मानक गलनांक से उसकी तुलना की जाती है।
- The melting point of this compound is higher than expected, indicating that it may be a polymorphic material.
इस यौगिक का गलनांक अपेक्षा से अधिक है, जो दर्शाता है कि यह एक बहुरूपी पदार्थ हो सकता है।
- The melting point of this alloy is lower than that of its constituent elements, demonstrating a decrease in interatomic forces.
इस मिश्र धातु का गलनांक इसके घटक तत्वों की तुलना में कम है, जो अंतर-परमाण्विक बलों में कमी को दर्शाता है।
- The melting point of this organic compound is significantly lower than that of its inorganic counterpart, suggesting less intermolecular bonding.
इस कार्बनिक यौगिक का गलनांक इसके अकार्बनिक समकक्ष की तुलना में काफी कम है, जो कम अंतर-आणविक बंधन का संकेत देता है।
- The melting point of this substance is sensitive to impurities, making precise measurements crucial for accurate analysis.
इस पदार्थ का गलनांक अशुद्धियों के प्रति संवेदनशील है, जिससे सटीक विश्लेषण के लिए सटीक माप अत्यंत महत्वपूर्ण हो जाता है।
- The melting point of this polymer varies greatly depending on the degree of polymerization, highlighting the importance of controlling the synthesis process.
इस बहुलक का गलनांक बहुलकीकरण की डिग्री के आधार पर बहुत भिन्न होता है, जो संश्लेषण प्रक्रिया को नियंत्रित करने के महत्व को उजागर करता है।
- The melting point of this material is affected by the presence of additives, which can alter its crystallinity and melting behavior.
इस पदार्थ का गलनांक, उसमें उपस्थित योजकों से प्रभावित होता है, जो इसकी क्रिस्टलीयता और गलनांक व्यवहार को बदल सकते हैं।
- The melting point of this semiconductor is constrained by its bandgap, as increasing its melting point can lead to increased doping difficulties.
इस अर्धचालक का गलनांक इसके बैंडगैप द्वारा सीमित होता है, क्योंकि इसके गलनांक में वृद्धि से डोपिंग संबंधी कठिनाइयां बढ़ सकती हैं।
- The melting point of this metal can be raised by increasing its pressure, highlighting the role of interatomic forces in controlling its crystal structure.
इस धातु का गलनांक इसके दबाव को बढ़ाकर बढ़ाया जा सकता है, जो इसकी क्रिस्टल संरचना को नियंत्रित करने में अंतर-परमाणुक बलों की भूमिका को उजागर करता है।
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