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गैलियम
तत्व गैलियम, जिसका प्रतीक Ga और परमाणु संख्या 31 है, की खोज सबसे पहले 1875 में फ्रांसीसी रसायनज्ञ पॉल-एमिल लेकोक डी बोइसबौड्रन ने खनिज स्फेलेराइट (जिंक सल्फाइड) की रासायनिक संरचना की जांच के दौरान की थी। नए तत्व के लिए "gallium" नाम फ्रांसीसी रसायनज्ञ अलेक्जेंडर दिमित्री राकोवत्जेव द्वारा प्रस्तावित किया गया था, जिन्होंने फ्रांसीसी वैज्ञानिकों द्वारा रसायन विज्ञान के क्षेत्र में किए गए प्रमुख योगदान के सम्मान में, वर्तमान फ्रांस के लिए प्राचीन रोमन नाम गॉल के नाम पर इसका नाम रखने का सुझाव दिया था। गैलियम की खोज ने आवर्त सारणी का विस्तार करने और आवर्त सारणी की तीसरी पंक्ति में तत्वों के गुणों और व्यवहार के बारे में हमारी समझ को गहरा करने में मदद की।
संज्ञा
(रसायन विज्ञान) Gali
गैलियम एक ऐसी धातु है जो अत्यंत कम तापमान पर पिघल जाती है, जिससे यह अद्वितीय मूर्तियां और कला प्रतिष्ठान बनाने के लिए एक लोकप्रिय विकल्प बन जाती है।
इसकी उच्च चालकता के कारण, गैलियम का उपयोग अक्सर अर्धचालक उद्योग में तापविद्युत उपकरणों और सौर पैनलों के निर्माण में किया जाता है।
गैलियम नाइट्राइड (GaN) एक मिश्रित अर्धचालक है जो अपनी उच्च इलेक्ट्रॉनिक गतिशीलता और प्रकाश तथा विद्युत इलेक्ट्रॉनिक्स जैसे इलेक्ट्रॉनिक्स अनुप्रयोगों में दक्षता के कारण लोकप्रियता प्राप्त कर रहा है।
गैलियम आर्सेनाइड (GaA) एक यौगिक अर्धचालक है जिसका उपयोग इसकी उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता और प्रकाश अवशोषण गुणों के कारण संचार उपकरणों और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स में किया जाता है।
गैलियम नाइट्राइड (GaN) ने पारंपरिक LED की उच्च ऊर्जा खपत के बारे में बढ़ती चिंताओं के जवाब में ऊर्जा-कुशल प्रकाश समाधान विकसित करने की क्षमता भी दिखाई है।
गैलियम आर्सेनाइड फॉस्फाइड (GaAsP) एक मिश्रित अर्धचालक है जिसका उपयोग इसकी उच्च संवेदनशीलता और कम शोर प्रदर्शन के कारण अवरक्त इमेजिंग के लिए किया जाता है।
गैलियम इंडियम नाइट्राइड (GaInN) एक मिश्रित अर्धचालक है, जिसकी जांच प्रकाश उत्सर्जन के व्यापक स्पेक्ट्रम के कारण अगली पीढ़ी के हरे एलईडी विकसित करने के लिए एक मंच के रूप में की गई है।
गैलियम, इंडियम, फॉस्फाइड (जीआईपी) एक मिश्रित अर्धचालक है, जिसका उपयोग सामान्यतः लघु-तरंगदैर्घ्य प्रकाश के लिए इसकी उच्च शक्ति हैंडलिंग क्षमता के कारण ऑप्टिकल संचार में किया जाता है।
गैलियम ऑक्साइड (Ga2O3) पारंपरिक कांच सामग्री की तुलना में अपनी उच्च इलेक्ट्रॉनिक गतिशीलता और पारदर्शिता के कारण एक आशाजनक ऑप्टिकल सामग्री है।
गैलियम बिस्मटाइड (GaBi) एक यौगिक अर्धचालक है, जिसकी जांच इसके कम वाहक घनत्व और उच्च क्रांतिक चुंबकीय क्षेत्र के कारण इसके अतिचालक गुणों के लिए की गई है।
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